光刻技術(shù)從誕生以來
,在半導(dǎo)體加工制造行業(yè)中
,作為圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)而廣為應(yīng)用
。隨著芯片集成度的不斷提高、器件尺寸的不斷縮小以及器件功能的不斷提高
,作為半導(dǎo)體加工技術(shù)中為關(guān)鍵的光刻技術(shù)和光刻工藝設(shè)備
,必將發(fā)生顯著的變化。光刻工藝中通常所使用的光源是由水銀蒸汽發(fā)射的紫外光
,波長為366
、405、 436nm
。目前為了提高曝光分辨率
,降低所使用的曝光光源也是光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)展的一個(gè)趨勢(shì)。光刻機(jī)的主要構(gòu)成包括曝光光源
、光學(xué)系統(tǒng)
、電系統(tǒng)
、機(jī)械系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成,其中光學(xué)系統(tǒng)是光刻機(jī)的核心
。光刻機(jī)的曝光方式一般根據(jù)掩模版和晶圓的距離大致分為三種方式:接觸式、接近式和投影式
。
1推動(dòng)光刻技術(shù)和設(shè)備發(fā)展的動(dòng)力
經(jīng)濟(jì)利益是Si片直徑由200mm向300mm轉(zhuǎn)移的主要因素
。300mm的Si片出片率是200mm的2 5倍。300mm工廠的投資為15~30億美元
,其中約75%的資金用于設(shè)備投資
,因此用戶要求設(shè)備能向下延伸3~4代。300mm片徑是從180nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)切入的
,這就要求設(shè)備在150
、130nm,甚至100nm仍可使用
。
為了推進(jìn)300mm Si片的大生產(chǎn)
,設(shè)備廠商在幾年前就著手解決這方面的問題。Canon于 1995年著手300mm曝光機(jī),推出了EX3L和I5L步進(jìn)機(jī)
,于1997~1998年提供日本半導(dǎo)體超前邊緣技術(shù)(SELETE)集團(tuán)使用
,ASML公司的300mm步進(jìn)掃描曝光機(jī)使用193nm波長,型號(hào)為FPA-500
,也于1999年提供給SELETE集團(tuán)使用?div id="jfovm50" class="index-wrap">,F(xiàn)在Canon的第三代300mm曝光機(jī)的混合匹配曝光能力已經(jīng)達(dá)到(<110nm)。目前300mm片徑生產(chǎn)180
、150
、130nm的IC設(shè)備都已經(jīng)進(jìn)入生產(chǎn)線,100nm的設(shè)備也已經(jīng)開始提供
。
曝光是芯片制造中關(guān)鍵的制造工藝
,由于光學(xué)曝光技術(shù)的不端創(chuàng)新,一再突破人們預(yù)期的極限
,使之成為當(dāng)前曝光的主流技術(shù)
。1997年美國GCA公司推出了臺(tái)分布重復(fù)投影曝光機(jī),被視為曝光技術(shù)的一大里程碑
,1991年美國SVG公司推出了步進(jìn)掃描曝光機(jī)
,它集分布投影曝光機(jī)的高分辨率和掃描投影機(jī)的大視場、效率于一身
,更適合(<0.25μm)線條的大規(guī)模生產(chǎn)曝光
。
為了提高分辨率,光刻機(jī)的曝光波長不斷縮小
,從436
、365nm
、近紫外(NUV)到246、193nm的深紫外(DUV)
。246nmKrF準(zhǔn)分子激光
,首先應(yīng)用于0.25μm的曝光,后來Nikon公又推出了NSR-S204B
,KrF
,使用變形照明(MBI)可做到0.15μm的曝光。ASML公司也推出PAS.5500/750E
,使用該公司的AERILALI照明
,可解決0. 13μm曝光。但19991TRS建議
,0.13μm曝光方案是用193nm或248nm加分辨率提高技術(shù)(RET)
;0.10μm曝光方案是用157、193nm加RET
、接近式X光曝光(PXL)或離子束投影曝光(IPL)
。所謂的RET技術(shù)是指采用移相掩模(PSM)、光學(xué)臨近修正(OPC)等措施
,進(jìn)一步提高分辨率
。
值得指出的是,現(xiàn)代曝光技術(shù)不僅要求高的分辨率
,而且要有工藝寬容性和經(jīng)濟(jì)性
,如在RET中采用交替移相掩模(alt PSM)時(shí),就要考慮到它的復(fù)雜
、價(jià)格昂貴
、檢查、修正等不利因素
。
目前業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心后光學(xué)技術(shù)可能難以達(dá)到2008年的70nm和2011年的50nm工藝技術(shù)要求
,正大力研發(fā)下一代(NGL)非光學(xué)曝光,并把157nm F2準(zhǔn)分子激光曝光作為填補(bǔ)后光學(xué)曝光和下一代NGL間的空隙
。
2光刻技術(shù)及設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)
2.1分辨率和焦深(DOF)
由于散射的原因
,光刻出來的圖形并不像掩模版上的圖形那樣線條尖銳,清晰陡直
。使用光學(xué)系統(tǒng)來提高光線的聚焦程度
,減少光的散射,可以提光刻工藝的分辨率
。根據(jù)影響分辨率的幾個(gè)因素分析可知:通過增加光學(xué)透鏡的尺寸能夠提高光刻技術(shù)的分辨率
,但是光學(xué)系統(tǒng)尺寸的增大也就意味著成本的極大提高。另外
,降低曝光光源的波長也可以大大提高光刻技術(shù)的分辨率
,這也是目前光刻技術(shù)所用光源波長越來越小的主要原因
。然而,波長的降低也有一定限制, 當(dāng)波長降低到一定數(shù)值時(shí)
,將會(huì)超出紫外光的范疇達(dá)到X射線的波長范圍
。X射線相對(duì)于傳統(tǒng)光學(xué)理論來說還有相當(dāng)大的區(qū)域需要進(jìn)行研究和開發(fā)。
另外一個(gè)重要的光學(xué)系統(tǒng)參數(shù)就是焦深
。在光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)中
,焦深越大,越容易進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)操作
。但是,焦深和分辨率是互相沖突的
,為了提高分辨率
,往往需要短波長和大數(shù)值的孔徑,但同時(shí)降低了焦深
,給操作帶來了極大的不便
。浸沒式光刻是近年來提出的延伸193nm光刻的關(guān)鍵技術(shù)。
采用浸沒液體的方式增加焦深
,可以使光刻機(jī)向更小的節(jié)點(diǎn)延伸
。
在光刻工藝中,分辨率要求非常高
,導(dǎo)致焦深變得非常小
,要求曝光光源的焦點(diǎn)正好落在光刻膠層厚度的中心才能得到更佳的分辨率。光刻膠層的厚度偏差要小于0.25μm
,只有CMP工藝可以獲得滿足0.13μm光刻工藝要求晶圓表面平整度
。
2.2 i線曝光和DUV (deep UV)
由于短波長能夠獲得較高的分辨率,穩(wěn)定
、高強(qiáng)度的短波長光源得到了開發(fā)并已經(jīng)應(yīng)用到光刻技術(shù)的曝光系統(tǒng)中
。壓汞燈和準(zhǔn)分子激光光源目前在步進(jìn)光刻機(jī)中得到了廣泛的應(yīng)用。
汞燈有多種波長的輻射
,其中i線(365nm)普遍應(yīng)用于步進(jìn)曝光機(jī)從而實(shí)現(xiàn)IC加工制造中0.35μm的特征尺寸
。準(zhǔn)分子激光光源的特征波長為248nm,可像DUV光源一樣實(shí)現(xiàn)0.25μm特征尺寸的加工
。使用ArF準(zhǔn)分子激光光源198nm波長的步進(jìn)曝光機(jī)
,目前已經(jīng)應(yīng)用到0.18和0.10μm的工藝中。使用157nm DUV光源(F2)從而實(shí)現(xiàn)低于0.10μm特征尺寸加工的光刻機(jī)
,目前正在研發(fā)并有希望在下一代光刻技術(shù)出現(xiàn)前而得到廣泛應(yīng)用
。
光刻膠分為正性和負(fù)性,針對(duì)不同波長敏感的曝光光源進(jìn)行加工生產(chǎn)
。絕緣防反射涂層的涂覆與曝光光源也是相關(guān)的
。針對(duì)不同的曝光光源和不同的光刻膠,需要開發(fā)不同的涂覆工藝
。目前,利用玻璃光學(xué)系統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)接近了它的極限
。因?yàn)镾iO對(duì)紫外光(UV)和更短波長光的吸收非常大
。所以,使用玻璃光學(xué)系統(tǒng)的透鏡和掩模不可能應(yīng)用于制造低于0.10μm甚至更小的特征尺寸,研究開發(fā)新的光學(xué)材料和光源來提高目前光刻技術(shù)的分辨率是非常必要的
。目前可能實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的新技術(shù)就是PSM技術(shù)和離軸照明技術(shù)
。這兩種技術(shù)可以提高目前光刻技術(shù)的水平,分辨率可以滿足低于0.1μm甚至0.04μm的工藝要求。
2.3 PSM技術(shù)
實(shí)現(xiàn)單個(gè)獨(dú)立的小尺寸圖形的轉(zhuǎn)移并不是很困難的事,困難的是很多尺寸圖形聚集在一起時(shí)的圖形轉(zhuǎn)移
,因?yàn)樵谶@種情況下光源的散射或者干涉將會(huì)造成圖形的畸變
。解決這一難題的辦法就是采用PSM技術(shù)。絕大多數(shù)在半導(dǎo)體工藝中使用的PSM版都是使用石英玻璃加工制造的
。試驗(yàn)證明
,通過使用PSM技術(shù),小的特征尺寸可以達(dá)到曝光波長的1/5
,這種技術(shù)也被稱為亞波長光刻技術(shù)
。
2.4極紫外光刻技術(shù)(EUV lithography)
下一代可能實(shí)現(xiàn)的亞0.1μm圖形轉(zhuǎn)移光刻技術(shù)就是極紫外光刻技術(shù),這種曝光光源的波長在11~14nm
。波長在1~50nm的光波覆蓋紫外線和X射線區(qū)域
。所以使用這一波長范圍的曝光技術(shù)也被稱為極紫外曝光或者軟X射線曝光或稱為真空紫外曝光。極紫外曝光的原理主要是利用曝光光源的波長從而降低光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑
,進(jìn)而提高光刻技術(shù)的分辨率
。但就目前所知的材料而言,沒有合適的材料能夠作為極紫外曝光光學(xué)系統(tǒng)的透鏡
,因?yàn)槟壳暗牟牧蠈?duì)短波長光源的吸收效應(yīng)都非常強(qiáng)
,極紫外光刻技術(shù)也必須基于光學(xué)系統(tǒng)才能實(shí)現(xiàn)。另外
,極紫外光刻的光源目前正在進(jìn)行研發(fā)
,有可能成為這種技術(shù)使用的光源是激光泵浦的氙等離子體光源。而極紫外光刻技術(shù)需要的掩模版還需要進(jìn)行多層金屬的涂覆才能使用
。
2.5 X射線曝光技術(shù)
當(dāng)曝光波長降低到5nm以下時(shí)
,屬于X射線范圍,X射線范圍的波長比UV的波長要短
,因而在光刻工藝中可以得到更高的光刻分辨率
。X射線曝光技術(shù)自1972年以來,就一直在人們的研究范疇之中
。因?yàn)閹缀鯖]有任何材料可以反射或折射X射線
,所以X射線曝光技術(shù)近似于直寫印刷技術(shù)。X射線直接透射過掩模版上的透明部分
,在基片的光刻膠上直接實(shí)現(xiàn)曝光
。由于波長非常短
,反射的影響幾乎可以忽略不計(jì),所以這種曝光技術(shù)的分辨率幾乎可以達(dá)到掩模版的分辨率水平
。
從傳統(tǒng)的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)閄射線光刻技術(shù)
,工藝流程都必須重新設(shè)計(jì),這主要是由于X射線不能像普通光源那樣通過透鏡和反射鏡等光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行聚焦
。另外
,X射線的掩模版造價(jià)非常昂貴,工藝也非常復(fù)雜
,這也是阻礙X射線光刻技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要原因
。另外,穩(wěn)定
、平行且強(qiáng)度足夠的單一頻率的X射線光源非常難以實(shí)現(xiàn)
。利用同步加速器輻射可以實(shí)現(xiàn)X射線曝光要求的光源,但造價(jià)非常昂貴
。一個(gè)同步加速器可以實(shí)現(xiàn)多種波長,但如果在工藝進(jìn)行當(dāng)中電子束由于故障導(dǎo)致關(guān)閉
,所有和它相關(guān)的曝光系統(tǒng)必須同時(shí)關(guān)閉
。半導(dǎo)體制造業(yè)需要的是工藝和設(shè)備的穩(wěn)定性,所以即使每個(gè)Fab只擁有一臺(tái)同步加速器曝光系統(tǒng)
,由于其價(jià)格昂貴也只能作為備用
。
2.6電子束曝光技術(shù)
電子束曝光的波長依賴于電子能量。能量越高,曝光的波長越短
。能量在10~50 keV的電子束的波長遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于UV光源的波長
,所以,電子束曝光工藝具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值
,并且具有傳統(tǒng)光學(xué)曝光技術(shù)所達(dá)不到的分辨率
。電子束曝光技術(shù)廣泛應(yīng)用于掩模版制造和一些半導(dǎo)體制造廠的十字叉絲制。
造技術(shù)中
,和UV曝光系統(tǒng)一樣
,電子束可以通過一些電子光學(xué)系統(tǒng)的電磁場效應(yīng)進(jìn)行反射、折射和聚焦
。所以
, 電子束曝光系統(tǒng)可以應(yīng)用于步進(jìn)曝光系統(tǒng)掃描曝光技術(shù)中。下一代電子束曝光技術(shù)中
,引人注目的是SCALPEL (angμlar limitation projection electron-beam lithography)
。SCALPEL綜合了高分辨率和多層次的工藝應(yīng)用技術(shù),可以滿足半導(dǎo)體制造業(yè)高產(chǎn)量的需求,該系統(tǒng)與現(xiàn)有的掃描步進(jìn)曝光系統(tǒng)非常類似。這種光刻技術(shù)是未來半導(dǎo)體制造業(yè)圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的主流技術(shù)
。
2.7離子束曝光技術(shù)
同電子束曝光技術(shù)一樣
,離子束曝光技術(shù)的分辨率也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了傳統(tǒng)的光學(xué)曝光技術(shù)
。離子束曝光技術(shù)同樣可以應(yīng)用于直寫式曝光和投影式曝光。離子束曝光的優(yōu)點(diǎn)在于在進(jìn)行曝光的同時(shí)
,可以進(jìn)行腐蝕工藝的操作
。這樣將大大節(jié)省工藝的操作步驟,簡化工藝流程
。然而離子束曝光的效率特別低
,不可能應(yīng)用于大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)中。這種技術(shù)目前可能的應(yīng)用是掩模版制造
,也可以應(yīng)用于針對(duì)器件缺陷的檢驗(yàn)和修復(fù)
。
3分析
自20世紀(jì)80年代后期,光學(xué)光刻技術(shù)的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向i線和準(zhǔn)分子,到90年代初
,i線曝光迅速達(dá)到全盛時(shí)期
。準(zhǔn)分子激光光刻技術(shù)已在80年代末期進(jìn)入成熟階段,其中以日本Nikon NSR-2005EX8A型
、荷蘭ASML PAS-5500/70型和PAS-5500/90型
、國GCA XLS-7500/29型和XLS7800/31型等為典型。它們均可實(shí)現(xiàn)0.45μm或0.35μm分辨率
,滿足16M
、64MDRAM芯片,光刻200 mm的片子
。
PSM曝光技術(shù)
,是光學(xué)光刻的一個(gè)歷史性突破。日本Nikon和Canon兩家公司在1992年3月的SPIE微光刻國際討論會(huì)上
,發(fā)表了相移照相光學(xué)系統(tǒng)的研究成果
,并將該技術(shù)應(yīng)用到EPA-2500i3、NSR-2005i9T NSR-4425i等遠(yuǎn)紫外步進(jìn)曝光機(jī)上
,以適應(yīng)64M DRAM的批量生產(chǎn)和256M DRAM的開發(fā)
。
同步輻射(SOR) X射線光刻,是未來有希望成為亞微米圖形制作的主要加工手段
。它可制作出0.2~0.1μm高精度圖形
,可以說是近期微細(xì)加工領(lǐng)域技術(shù)中的又一個(gè)豐碑。日本SORTECH和松下合作研制成功世界上臺(tái)高性能的SOR光刻機(jī)
,日電也開發(fā)出具有0.2μm加工能力的SOR步進(jìn)機(jī)
。
4結(jié)語
電子束曝光技術(shù)正在向著高精度、高亮度
、高速消隱和高速掃描方向發(fā)展
。近年來,國外電子束曝光技術(shù),已從亞微米發(fā)展到納米(10~100nm)加工
。
根據(jù)目前光刻技術(shù)的發(fā)展形勢(shì)看
,極紫外光刻技術(shù)將是大批量生產(chǎn)特征尺寸為70nm及更細(xì)線寬集成電路的主流技術(shù)。目前
,Intel公司已經(jīng)把下一代光刻技術(shù)選定為極紫外光刻技術(shù)
。在即將到來的65nm節(jié)點(diǎn),主流光刻設(shè)備將是ArF干式光刻機(jī)和ArF浸沒式光刻機(jī)
;到2010年
,用于45nm節(jié)點(diǎn)的主流光刻設(shè)備將是ArF浸沒式光刻機(jī)。ArF浸沒式光刻機(jī)仍然具有潛力向更小的節(jié)點(diǎn)延伸
。極紫外光刻
、納米壓印光刻、無掩模光刻等下一代光刻技術(shù)的研究也取得了較大的進(jìn)步
。在193nm浸沒式光刻技術(shù)達(dá)到極限后
,極紫外光刻將有可能成為主流的光刻技術(shù),納米壓印光刻和無掩模光刻也將是極有競爭力的下一代光刻技術(shù)
,這為我國的光刻設(shè)備和工藝研究提出了新的課題和挑戰(zhàn)
。
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